Главная arrow Для образования мономолекулярного слоя нерастворимого продукта

Для образования мономолекулярного слоя нерастворимого продукта

Если процессы анодного растворения происходят по схеме Me -(- zH20 МеОг- -J- 2zH+ + ге или по схеме Me + гОН~ -*■ МеОг~ + гН+ -f- ге, то растворение металла протекает тем легче, чем выше рН раствора.
В качестве примера можно привести поляризационные кривые анодного растворения олова в растворе едкого натра (рис. 23). Скачок потенциала, вызванный образованием на аноде пленки, в более концентрированных электролитах происходит при более высоких плотностях тока.

Обширный материал, характеризующий зависимость электродных потенциалов многих практически важных металлов от рН раствора, собрав 'Пурбе [61].

Для образования мономолекулярного слоя нерастворимого продукта необходимо пропустить около 0,1...0,2г Кл/см2, где г — валентность ионов металла. Этого количества электричества достаточно, чтобы платина и кобальт запассивировались в щелочном растворе, а золото — в кислых и щелочных растворах. Уже при образовании монослоев PtO, Au203, Со203 происходит пассивация указанных металлов.

Необходимое для пассивации количество электричества может оказаться большим из-за неоднородности или несовершенства образующейся пленки. Так, для пассивации меди и серебра в щелочных растворах требуется образование трех-четырех молекулярных слоев СиО или AgsO. Для пассивации же свинца в серной кислоте количество электричества должно в несколько тысяч раз превышать число кулонов, необходимое для образования мономолекулярного слоя PbS04.

Пленки, характеризующиеся высокой электронной проводимостью. Образующиеся на аноде пленки могут обладать высокой электронной проводимостью. В этом случае на границе пленка — раствор при соответствующем значении потенциала происходит окисление ионов гидро-ксила или воды до кислорода, окисление ионов хлора и др. При достаточной сплошности хорошо проводящей пленки почти весь ток расходуется на этот процесс (например, при выделении кислорода на платиновых или родиевых анодах).