Главная arrow Операции проявления и удаления фоторезистов

Операции проявления и удаления фоторезистов

В том случае, когда пленочный фоторезист наносится с целью за* щиты от вытравливания (негатщ ный процесс) применяют фото1 зист толщиной 20 мкм, для защит от осаждения металла при галъ~ч ванических операциях используй ются фоторезисты толщиной 40 и 60 мкм. После на* катки СПФ заготовки плат выдерживают в течен! 30 мин при комнатной температуре в темном месте для снятия внутренних напряжений, после «его платы под» вергают экспонированию. Операция экспонирования за-Г ключается в следующем: на слой фоторезиста в спепиаль*; ном приспособлении, обеспечивающем точное совмеще-' ние рисунка схемы с отверстиями на заготовке, накладывается фотошаблон печатной схемы; приспособлени помещается в светокопировальную раму, где под действием сильного источника света (ртутно-кварцев! лампы) происходит задубливание фоторезиста на освеще: ных участках. Продолжительность экспонирования под? бирают опытным путем в пределах 0,5—2,0 мин. П< экспонирования следует операция проявления, т. е. рас творение и удаление фоторезиста с незадубленных светоучастков поверхности, перед этим защитная лавсановая пленка удаляется. В зависимости от типа фоторезиста в качестве растворителя применяют метилхлороформ (для СПФ-2) или 2%-ный раствор кальцинированной соды (СПФ-ВЩ). Удаление фоторезиста типа СПФ-2 производят в хлористом метилене, а в водощелочепроявляемые резисты типа СПФ-ВЩ в 5%-ном растворе едкого натра.

Операции проявления и удаления фоторезистов осуществляют в двухкамерных установках струйного типа, в которых растворитель подается под давлением 300— 400 кПа (первая камера). Для более полного удаления остатков фоторезиста на поверхность заготовки направляются струи воды под давлением 200—300 кПа (вторая камера).